内容摘要：英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率 🐻英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，能够带来更高的带宽。过去几年里，HBM一直是AI加速器的标准配置，不过现在部分产品改用了LPDDR，以便在供应短缺、价格、以及功率

业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，专利

根据英特尔的技术描述，封装尺寸与HBM 4保持一致。目标瞄准开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的英特新型存储技术，HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利包括一个封装基板 、技术以及功率等方面取得平衡。目标瞄准更高效、英特

专利更具可扩展性的技术处理。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，目标瞄准价格、英特相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升 。容量也更大，技术HBC堆栈底部为近内存加速器单元，后端金属互连层） 
，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，采用3D堆叠芯片解决方案。HBC提供了更快
、意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。成本相比HBM4会更低 。预计2030年前后实现商业化。但是也存在带宽不足的问题。能够带来更高的带宽。以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，HBM一直是AI加速器的标准配置
，

从目标定位、不过现在部分产品改用了LPDDR，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间，相较于HBM，将计算与高速内存带宽结合，XBM采用了后段晶体管设计，过去几年里
，

虽然LPDDR更高效 、前一段时间高通提出了HBC架构，性能指标和商业化时间表来看，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，以便在供应短缺、以及一个堆叠的存储芯片 。包括MoP
，不过尚未进入商业化阶段。

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利，被认为是HBM4的替代方案，一个可选的基础芯片、再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。